КИЇВ. 2 липня. УНН. Компанія Samsung оголосила про початок виробництва чипів на базі 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням транзисторів Gate-All-Around (GAA). Про це йдеться у повідомленні компанії, передає УНН.
КИЇВ. 2 липня. УНН. Компанія Samsung оголосила про початок виробництва чипів на базі 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням транзисторів Gate-All-Around (GAA). Про це йдеться у повідомленні компанії, передає УНН.